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삼성전자·SK하이닉스 D램경쟁 후끈

입력 : 2014-10-21 20:33:45 수정 : 2014-10-21 22:37:27

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삼성, 8Gb DDR4서버용 세계 첫 양산
SK하이닉스, 16기가 비휘발성 모듈 첫개발
국내 반도체 업계 라이벌인 삼성전자와 SK하이닉스 간에 또다시 D램 경쟁이 불붙고 있다.

삼성전자는 20나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 공정을 적용한 8Gb(기가비트) DDR4 서버용 D램을 세계 최초로 양산한다고 21일 밝혔다. 20나노 8Gb DDR4 D램 기반의 서버용 모듈은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 데이터 처리속도를 구현하며, 동작 전압은 1.2V로 DDR3의 1.5V보다 낮아 전력 소모가 적다.

DDR(double data rate)는 D램 반도체의 동작속도 규격으로, DDR1에서 DDR4로 진화하면서 단계마다 데이터 처리 속도는 2배씩 빨라지고 전력 효율은 높아졌다. 기존 4Gb D램은 64GB(기가바이트) 모듈까지 만들 수 있으나, 8Gb D램은 실리콘관통전극(TSV)이라는 첨단 패키징 기술을 접목해 모듈 용량을 최대 128GB까지 늘릴 수 있다.

SK하이닉스도 이날 16GB 용량의 비휘발성 메모리 모듈(NVDIMM)을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 D램에 낸드플래시를 결합해 갑자기 전원이 끊겨도 D램의 데이터를 낸드플래시로 전송해 안전하게 저장·복구할 수 있다. 16GB는 NVDIMM 기준 세계 최대 용량으로, 20나노미터급 4Gb DDR4 D램을 기반으로 해 기존 DDR4 D램 모듈과 동일한 성능을 구현한다.

김기동 기자 kidong@segye.com

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