SK하이닉스 박성욱 사장은 올해 신년사에서 ‘본원적 기술 경쟁력’ 강화를 재차 강조했다. 주력 제품인 D램과 낸드플래시의 기술 및 원가 경쟁력을 강화하겠다는 의지를 재천명한 셈이다.
2012년 이후 매년 3조원 이상을 투자해온 SK하이닉스는 올해에도 3조원 이상의 대규모 투자를 통해 메모리반도체 시장의 글로벌 2강으로서 위상을 더욱 굳건히 다질 계획이다. 사진은 M10라인의 모습. SK하이닉스 제공 |
이는 최근 잇단 인수합병으로 업계의 경쟁구도가 급속히 재편되는 등 불확실성이 커지는 상황과도 크게 대비된다는 지적이다.
SK하이닉스 측은 이에 대해 “경쟁이 심화하는 메모리반도체 시장에서 선두업체로서의 지위를 공고히 하기 위해선 선도적 기술 개발이 중요하다”며 “지난 3년간 사상 최대 실적을 달성했는데, 그건 적기 투자와 기술개발과 우수인력 보강으로 사업역량을 강화한 결과였다”고 설명했다.
SK하이닉스는 대규모 투자를 통해 박 사장이 강조하는 ‘본원적 경쟁력 강화’에 박차를 가할 계획이다. 구체적으로 D램에서는 20나노 초반급 제품 생산비중 확대를 통해 수익성을 강화하고 10나노급 제품 개발도 완료할 계획이다. 낸드플래시 역시 2D램 구조의 14나노 제품 개발과 3D램 48단의 본격 양산을 통해 선두업체로 나선다는 복안이다. 비용절감을 통해 회사 전반의 체질개선을 이루고 미래 성장 기반도 마련할 계획이다.
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