삼성전자 고성능 마이크로SD카드 개발

초당 800MB로 연속읽기 가능
업계 최초… 기존比 성능 4배 개선
V낸드기반 SD카드도 연내 출시

삼성전자가 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발했다.

28일 삼성전자에 따르면 이번에 개발된 제품은 SD 익스프레스 7.1 규격을 기반으로 마이크로SD 카드 최고 연속 읽기 성능인 초당 800MB와 256GB의 고용량을 제공한다. 이는 기존 UHS-Ⅰ카드의 연속 읽기 성능(200MB/s)과 비교해 4배 성능이다. 삼성전자는 고객사에 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드 샘플 제공을 시작했으며, 이런 기업간거래(B2B) 공급에 이어 연내 소비자 대상 출시를 예정하고 있다.

SD 익스프레스 마이크로SD카드 이미지. 삼성전자 제공

이날 삼성전자는 최신 V낸드 기반 1테라바이트(TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드도 올해 3분기 출시한다고 덧붙였다. 업계에서는 이 제품이 태블릿이나 드론, 액션캠뿐 아니라 확장현실(XR) 기기, 휴대용 게임 콘솔 등 온디바이스 인공지능(AI) 활용 기기와 같은 새로운 시장에서 최적의 솔루션으로 평가받을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 전날에도 업계 최초로 36GB HBM3E(5세대 HBM·고대역폭 메모리) 12단 적층 D램 개발을 구현했다고 밝혔다. HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다.

시장조사기관 옴디아는 새로운 기기 증가와 고용량 콘텐츠 수요가 커지면서 메모리 카드 시장 규모가 지난해 381억GB에서 2027년 769억GB로 연평균 19.2%의 성장할 것이라고 전망했다. 삼성전자는 지난해 4분기 메모리 반도체인 D램 세계 시장 점유율을 45.7%의 압도적인 1위로 끌어올려 ‘반도체의 봄’ 수혜를 톡톡히 볼 것으로 기대된다.

정부도 반도체 수요 회복 추세에 발맞춰 내년 수출 목표를 대폭 높여 잡았다. 산업통상자원부는 이날 서울 중구 한국무역보험공사에서 제3차 민관합동 수출확대 대책회의를 열고 ‘2024년 범부처 수출확대 전략’을 발표했다.

정부는 올해 역대 최대인 수출 7000억달러, 외국인 투자 350억달러 유치, 첨단산업 국내 투자 110조원 등을 3대 목표로 설정하고, 이를 위해 총력 지원체계를 갖추기로 했다.

특히 주력 품목인 반도체는 HBM, 시스템반도체 등 고부가가치 제품 수출에 주력하고, 팹리스(반도체 설계 전문회사) 경쟁력 강화 등을 통해 올해 1200억달러 수출을 달성한다는 계획이다.

김범수 기자 [e-mail]